中國上海 2016年3月21日 日本半導體制造商株式會社東芝（Toshiba）旗下東芝半導體&存儲產品公司宣布，攜旗下領先的工業電子、物聯網應用及汽車電子等眾多技術和產品成功亮相2016年慕尼黑上海電子展。東芝本次參展的主題為“共筑‘安心’、‘安全’、‘舒適’的美好社會”，高度契合了中國發展的現狀和行業趨勢，受到了業內同仁們的一直好評；其憑借雄厚技術實力展出的面向工業、物聯網、汽車等應用的技術、產品和解決方案更是受到了到場觀眾們的追捧。
東芝已連續3年參加慕尼黑上海電子展，每次都帶來不斷創新的技術和產品。此屆展會東芝同樣舉辦了媒體見面會，邀請了業界各領域知名媒體，由東芝半導體&存儲產品公司技術營銷部總經理兼技術營銷總監吉本健先生、東芝電子（中國）有限公司董事長兼總經理田中基仁先生、東芝電子亞洲有限公司副董事長野村尚司先生，向業內闡述東芝半導體對技術趨勢的理解、對應用市場的看法和對中國市場的規劃。
東芝電子（中國）有限公司董事長兼總經理田中基仁先生說道：“東芝一直相信并堅持無論科技如何發展，它一定要落實到為人們生活提供服務，這也是我們此次提出‘共筑美好社會’的基石。東芝通過此次在工業、物聯網以及汽車電子等三個領域展出的技術和產品為‘共筑美好社會’提供了科技基礎。從社會體系到每一個人，東芝半導體的支持無所不在。”
本次展出的明星產品有：
工業：面向電鐵、電力轉換、工業用變頻器的大型IGBT模塊；采用高效率高性能SiC的新一代功率半導體器件；有助于提高設備節能的低損耗MOSFET；廣泛應用于電源系統的分立器件產品線；通過硬件進行矢量引擎控制。
東芝此次參展產品的一大亮點是展出了采用第三代半導體技術的代表-SiC材料的器件。SiC具有大禁帶寬度、高臨界場強、高熱導率和高載流子飽和速率等特性，其品質因數遠遠超過了其他材料，因而成為制造高功率器件、高頻器件、高溫器件和抗輻照器件最重要的半導體材料。SiC材料在東芝產品中的廣泛使用將進一步夯實東芝在功率器件方面的領先優勢，并且為未來發展奠定堅實的基礎。東芝目前將SiC材料應用在1000伏以上的工業、能源等大功率產品。
東芝在原有IGBT的基礎上通過采用“注入增強結構（IE：Injection Enhanced）”技術實現了低通態電壓，推出專利產品IEGT。由于其采用了SiC-SBD新材料，具有低導通電阻和低開關損耗等特性，實現了大功率變頻器的節能，而且其優勢隨著大功率項目功率等級和電壓等級的不斷提高而逐步提升。IEGT控制的門極驅動電流小，它既能減少系統的損耗，也能提高元件的使用壽命，且IEGT調速空載時系統損耗低，符合綠色節能的要求，使得系統運行成本更為經濟。東芝的IEGT已經在為中國電力轉換設備實現高效、節能、輕小型的目標做出貢獻。
東芝的IEGT除采用了SiC材料之外，在封裝上還采用了PMI（塑料模塊）和東芝獨有的PPI（壓接式）兩種方式。塑料模塊式封裝采用螺紋連接，它具有方便拆卸的特性;壓接式封裝具有無焊層、無引線鍵合、雙面水冷散熱和失效短路的特點。這兩種封裝的采用，使得東芝的IEGT器件具有更低的熱阻、更高的工作結溫、更低的寄生電感、更寬的安全工作區和更高的可靠性，在減少器件的同時大幅提高了功率密度和系統可靠性。
東芝此次還帶來了市場份額第一的光耦器件，新的LED技術使得東芝的光耦得以滿足多種技術條件，如具備使用壽命長，可靠性高以及工作溫度高等特點，其原生的低功耗設計使得東芝的光耦更節能。其新的封裝形式可以使器件直接貼裝在PCB板的背面，為系統節約空間。
物聯網：業內領先的低功耗藍牙分布式網絡技術；具有48層堆疊技術的3D閃存BiCS FLASH?；具有高可靠性、且支持NVMeTM接口的新型單一封裝SSD；近距離無線通信技術TransferJet?；在世界79國取得認證的搭載無線LAN功能的SD存儲卡FlashAirTM；可處理各種傳感器數據的應用處理器ApP Lite?。
